Tại hội nghị công nghệ VLSI 2025 mới đây, những thông tin chuyên sâu về tương lai của ngành sản xuất bán dẫn đã được hé lộ, nổi bật là các chi tiết kỹ thuật và chi phí của tiến trình Intel 18A. Đây được xem là bước đi chiến lược của Intel trong nỗ lực giành lại vị thế dẫn đầu từ tay các đối thủ cạnh tranh lớn trong mảng đúc chip toàn cầu.
Diễn biến
Theo báo cáo từ SemiAnalysis, hội nghị thiết kế và tích hợp vi mạch hàng đầu này đã tập trung thảo luận sâu về các cải tiến trong quy trình sản xuất tấm silicon (fab). Bên cạnh tiêu điểm Intel 18A, các chuyên gia bán dẫn còn mổ xẻ cuộc đua công nghệ bộ nhớ giữa DRAM 4F2 và DRAM 3D, cũng như khả năng ứng dụng thực tế của công nghệ cấp nguồn mặt sau (Backside Power Adoption).
Đặc biệt, hội nghị cũng ghi nhận sự xuất hiện của công nghệ FlipFET từ Trung Quốc và các mô hình bản sao kỹ thuật số (Digital Twins) hỗ trợ tối ưu hóa quy trình từ cấp độ nguyên tử cho đến toàn bộ nhà máy fab. Đây là những giải pháp kỹ thuật nhằm giải quyết giới hạn vật lý khi các tiến trình thu nhỏ bóng bán dẫn ngày càng cận kề ranh giới hạn của định luật Moore.
Vì sao đáng chú ý
Đối với giới đam mê công nghệ và cộng đồng bán dẫn tại Việt Nam, những thông tin từ VLSI 2025 cho thấy bức tranh rõ nét về lộ trình thương mại hóa của các tiến trình dưới 2nm. Việc chuyển dịch sang các cấu trúc bóng bán dẫn mới như FlipFET hay việc tối ưu hóa chi phí sản xuất của Intel 18A sẽ quyết định trực tiếp đến giá thành và hiệu năng của các dòng chip AI lẫn CPU thế hệ tiếp theo.
Mặc dù vậy, giới quan sát vẫn giữ thái độ thận trọng về khả năng tối ưu chi phí thực tế của các fab khi áp dụng các công nghệ phức tạp như Backside Power, vốn đòi hỏi sự thay đổi toàn diện trong chuỗi cung ứng thiết kế vi mạch.